高低溫低氣壓試驗箱試驗標準及範圍（wéi）！

高（gāo）低（dī）溫低氣壓試驗箱是測試低氣壓試驗的主要設備，它可以在高溫和低溫和低壓的單一或同時作（zuò）用下執行存儲和運輸可靠性測（cè）試，並且可以同時測試試件的電氣性能參（cān）數。

而電子元器件使用高低溫（wēn）低氣壓試驗箱做試驗的目（mù）的（de）及參考試驗標準如下：

一、測（cè）試目的（de）：通用低（dī）壓測試有（yǒu）三種測試目的：

1）確定產品在（zài）常（cháng）溫下是否能承受低壓環境，並在低壓環境下（xià）能正常工作。並且能夠承受（shòu）氣壓的快速變化。

2）確定組件和材（cái）料在室溫下在低壓下承受電擊穿的能力，確定密封組件在（zài）不損壞的情況（kuàng）下承受壓差的能力，並確（què）定低壓對組件工作特性的影響。

3）確保當（dāng）組件和材料的（de）氣壓（yā）降低時，由於空氣和其他絕緣材料的絕緣強度而降低（dī）了抗電擊穿能力

 二、參考試驗標準：

1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備實驗室環境試驗方法第二部分低氣壓( 高度） 試驗》;

2） G J B 360B一（yī）2009《電子及電氣元件試驗方（fāng）法方法105低氣壓試（shì）驗》( 等效美軍標M IL—STD一202F） ;

3） G J B 548B一（yī）2005《微電子器件試驗方法和程序（xù）方法1001低（dī）氣壓( 高空作業） 》標（biāo）M IL—STD一883D）; 

4） G B2421—2008《電工電子（zǐ）產品基本環境試驗總則》;

5）G B／T 2423，21—2008《電（diàn）工電子產品基本環（huán）境試驗規程試驗M 低氣壓試驗方法》；

6） G B／T 2423．25—2008《電工電子產（chǎn）品（pǐn）基本環境試驗規程試驗Z／AM 低溫（wēn）／低氣壓（yā）綜合試驗方法;

7）G B／T 2423、26—2008《電工電子產品基本環（huán）境試（shì）驗規程試驗Z／BM 高溫／低氣壓綜合試驗方法》；

8） G B2423．27—2005《電工電子產品（pǐn）基本環境試驗（yàn）規程試（shì）驗Z／AM D 高溫／低氣壓綜合試驗方法》；

9） G B／T 2424．15—2008《電工電子產品基本環境試驗規程》。

10） GB 11159-1989 低氣壓試驗箱技（jì）術條件（jiàn） 標準

三、試驗條件：

試驗（yàn）壓（yā）力

GJB 548列出了總共A、 B、 C、 D、 E、 F、 G7在不（bú）同（tóng）條件（jiàn）下的不同大氣壓值，並且給定的測試條件具有一定的規律（lǜ）性（xìng），隨著飛行高度從低到高（gāo），壓力（lì）價（jià）值從大到小變化； GJB 360給出A、 B、 C、 D、 E、 F、 G、 H、 I、 J 10不同條（tiáo）件下的海拔壓力（lì）值，以及所列的（de）海拔-氣壓計（jì）從A到E的測試條件具有一定的規律性。隨著飛行（háng）高度從低到高（gāo）變化，氣壓（yā）值從大到小變化，但是從測（cè）試條件F到測試條件J沒有規律性。與GJB 548中列出的（de）測試（shì）條件（jiàn）相比，GJB 360測試條件從條件H為測試條件（jiàn）J，相應的氣壓和海拔條件為：H：3000m 70kPa； J：18 000m，7、 6kPa； K：25 000m，2、 5 kPa。

2）測試時間GJB 360B-2009規定：如果沒有其他要求（qiú），可以從以（yǐ）下值中（zhōng）選擇低壓下的測試（shì）樣品測試時間：5min、 30min、 1h、 2h、 4h和16h。

3）升降（jiàng）壓率通常不超過10kPa/min三個、

四、問題與措施

1、問題

低壓測試期間組（zǔ）件可能暴露的缺陷包括：絕緣（電離、放（fàng）電和介電損耗）和結點熱缺陷。

2、措施

1在（zài）低壓條件下，很容易產生排放。有必要加強絕緣電極和表麵的絕緣。灌封過程（chéng）是一種有效的解決方案。

2）組件的熱設計必須充分考慮低（dī）壓引（yǐn）起的溫度上（shàng）升。